離子濺射儀（磁控）庫號：M363284離子濺射儀（磁控）庫號：M363284

此款小型磁控離子濺射儀主要用于SEM制樣樣品鍍導電膜（如金膜）或材料鍍膜。采用磁控冷態(tài)濺射，基本不升溫，保護樣品。

主要特點:
顯示操作面為30°斜面，考慮操作的便捷和視覺體驗，方便觀察操作；
真空泵連接管路為金屬波紋管；
微調(diào)閥調(diào)節(jié)，帶有刻度標識；
真空泵抽速快，適合實驗室使用；
控制電路為控制板；
顯示控制操作部分，位于同側(cè)；
磁控冷態(tài)濺射，基本不升溫，保護樣品；

技術(shù)參數(shù):
1.樣品室空間：直徑150mm×高120mm
2. 可配Pt靶（另購），靶材尺寸：φ50mm×0.1mm
3.真空控制電路設(shè)計，實現(xiàn)真空度和濺射電流，互鎖，可調(diào)電流40mA；
4.侵入式磁控低溫離子源，可換靶材，環(huán)繞暗區(qū)護罩；
5.使用計|時控制器，可調(diào)設(shè)置范圍:1-500秒，連續(xù)可調(diào)
6.自動真空泄氣功能，自動排氣，可通過數(shù)字定時器進行控制
7.真空泵，抽速8.5m3/h，可置于抗震臺上，全金屬集成耦合系統(tǒng)
8.微型真空氣閥：微量流量閥，精度±0.1Pa

技術(shù)參數(shù):
1.樣品室空間：直徑150mm×高120mm
2. 可配Pt靶（另購），靶材尺寸：φ50mm×0.1mm
3.真空控制電路設(shè)計，實現(xiàn)真空度和濺射電流，互鎖，可調(diào)電流40mA；
4.侵入式磁控低溫離子源，可換靶材，環(huán)繞暗區(qū)護罩；
5.使用計|時控制器，可調(diào)設(shè)置范圍:1-500秒，連續(xù)可調(diào)
6.自動真空泄氣功能，自動排氣，可通過數(shù)字定時器進行控制
7.真空泵，抽速8.5m3/h，可置于抗震臺上，全金屬集成耦合系統(tǒng)
8.微型真空氣閥：微量流量閥，精度±0.1Pa